| Номер детали производителя : | 1N5417 TR | Статус RoHS : | |
|---|---|---|---|
| Изготовитель / Производитель : | Central Semiconductor | Состояние на складе : | - |
| Описание : | DIODE GEN PURP 200V 3A GPR-4AM | Доставить из : | Гонконг |
| Спецификация : | 1N5417 TR(1).pdf1N5417 TR(2).pdf1N5417 TR(3).pdf | Путь отгрузки : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
| Часть № | 1N5417 TR |
|---|---|
| производитель | Central Semiconductor |
| Описание | DIODE GEN PURP 200V 3A GPR-4AM |
| Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | |
| Кол-во в наличии | В наличии |
| Спецификация | 1N5417 TR(1).pdf1N5417 TR(2).pdf1N5417 TR(3).pdf |
| Напряжение - Forward (Vf) (Макс) @ Если | 1.1 V @ 3 A |
| Напряжение питания - DC Reverse (Vr) (Макс) | 200 V |
| Технологии | Standard |
| Поставщик Упаковка устройства | GPR-4AM |
| скорость | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Серии | - |
| Обратное время восстановления (ТИР) | 150 ns |
| Упаковка / | R-4, Axial |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) |
| Рабочая температура - Соединение | -65°C ~ 200°C |
| Тип установки | Through Hole |
| Ток - Обратный утечки @ Vr | 1 µA @ 200 V |
| Текущий - средний выпрямленный (Io) | 3A |
| Емкостной @ В.Р., F | 150pF @ 12V, 1MHz |







DIODE GEN PURP 200V 3A GPR-4AM

DIODE GEN PURP REV 200V 3A B
DIODE AVALANCHE 200V 3A SOD64

Interface

DIODE GEN PURP 200V 3A B
DIODE GEN PURP 200V 3A B AXIAL

DIODE GEN PURP 100V 3A D-5B

DIODE GEN PURP 100V 3A D-5B
DIODE GEN PURP 200V 3A B AXIAL
DIODE AVALANCHE 200V 3A SOD64